기억장치 시스템의 특성들

기억장치 시스템의 특성들

기억장치 액세스 (memory access) : 기억장치에 어떤 정보를 쓰거나 읽는 동작

액세스 방법에 따른 기억장치의 종류

순차적 액세스(sequential access) : 저장된 정보를 처음부터 순서대로 액세스하는 방식 (예: 자기 테이프)

직접 액세스(direct access) : 액세스할 위치 근처로 직접 이동한 다음에, 순차적 검색을 통하여 최종 위치에 도달하는 방식 (예: 디스크, CD-ROM)

임의 액세스(random access) : 주소에 의해 직접 기억장소를 찾아 액세스하며, 어떤 기억 장소든 액세스하는 시간이 동일 (예: 반도체 기억장치)

연관 액세스(associative access) : 저장된 내용의 특정 비트들을 비교하여, 일치하는 내용을 액세스 (예: 연관 기억장치(associative memory))

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기억장치의 설계 / 전송단위 / 주소지정 단위

기억장치 시스템을 설계하는 데 있어서 고려해야 할 주요 특성들

용량(capacity)

액세스 속도

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전송 단위(unit of transfer)

CPU가 한 번의 기억장치 액세스에 의하여 읽거나 쓸 수 있는 비트 수

주기억장치의 경우 : 단어(word) 단위

보조저장장치 : 블록(512 바이트 혹은 1K 바이트) 단위

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주소지정 단위(addressable unit)

바이트 단위 혹은 단어 단위

주소 비트의 수 A와 주소지정 단위의 수 N과의 관계 : 2A = N

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액세스 속도를 나타내는 파라미터들

액세스 시간(access time) : 주소와 쓰기/읽기 신호가 도착한 순간부터 데이터 액세스가 완료되는 순간까지의 시간

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기억장치 사이클 시간(memory cycle time) = 액세스 시간 + 데이터 복원 시간(data restoration time)

반도체 기억장치, 디스크의 경우에는 데이터 복원 시간 = 0

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데이터 전송률(data transfer rate) : 기억장치로부터 초당 액세스 되는 비트 수 (1/액세스 시간) x (한 번에 읽혀지는 데이터 비트 수)[예] 액세스 시간 = 100ns, 액세스 단위 = 32비트인 경우, 데이터 전송률 = (1/100ns) x 32 = 320Mbits/sec

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기억장치의 유형

기억장치의 제조 재료에 따른 유형

반도체 기억장치(semiconductor memory) : 반도체 물질인 실리콘(Si) 칩을 이용한 기억장치

자기-표면 기억장치(magnetic-surface memory) : 자화 물질로 코팅된 표면에 정보를 저장하는 기억장치 (예: 디스크, 자기 테이프)

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데이터를 저장하는 성질에 따른 유형

휘발성 기억장치(volatile memory) : 전원 공급이 중단되면 내용이 지워지는 기억장치 (예: RAM)

비휘발성 기억장치(nonvolatile memory) : 전원 공급에 관계없는 영구 저장장치 (예: ROM, 디스크, CD-ROM)

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삭제불가능 기억장치(non-erasable memory) : 내용 변경이 불가능한 기억장치 (예: ROM)

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